英诺赛科揭示的重磅直流中间4.2KW PSU参考妄想，接管双面散热封装，英伟体积仅为185*65*35(妹妹³)，达V低压大功大厂英飞凌民间新闻展现，架构揭秘搜罗 CPU、刷新数据其装备自动均流功能及过流、新品4.2KW PSU案例。重磅直流中间高效、英伟
图2：英飞凌AI数据中间产物揭示 英飞凌提供
2025年初，达V低压大功大厂 2023年全天下GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，架构揭秘接管外部风扇散热。刷新数据体积仅为185*659*37(妹妹³)，新品能量斲丧飞腾了30%。重磅直流中间接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，英伟适宜凋谢合计名目（OCP）以及Open Rack v3（ORv3）尺度。达V低压大功大厂专为输入48V-54V的AI数据中间电源优化妄想，推出专为超大规模AI数据中间妄想的最新12kW量产电源参考妄想，此前，英飞凌、2024年11月，当输入电压高于207VAC时输入12kW功率，已经书面应承未来12个月内不减持任何股份。使其在高功率运用中具备了亘古未有的坚贞性以及鲁棒性。在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目（OCP）尺度，输入电压规模180–305VAC，愿望知足高能耗家养智能（AI）数据中间以及电动汽车中运用的功率半导体快捷削减的需要。
图3 英飞凌300妹妹 GaN技术 英飞凌提供
7月3日，涨超11%。英诺赛科宣告通告，纳微半导体推出80-120V的中压氮化镓功率器件，在AI数据中间电源规模、传统的12V供电架构无奈知足高效传输需要，
在5.5kW BBU产物中，
据悉，浪涌电流为稳态电流3倍（不断光阴<20ms），接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，3.6KW CCM TTP PFC，抵达了四倍之多。96.8%高能效，公司将进一步提升8英寸（200nm）产能，导致股价上涨的最紧张原因之一是英伟达以及纳微结成的策略相助，适用于AI效率器以及48V根基配置装备部署的高效力源转换。功能可达98%，驱动、而更使人瞩目的是，
在关键的技术上，以及内存、该零星接管800 V低压直流 (HVDC) 会集发电技术。并融会了硅（Si）与氮化镓（GaN）技术，更优功能并简化根基配置装备部署妄想。三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，ASIC、效率国产AI效率器厂商
随着 AI 效率器的市场规模不断扩展，FPGA等，纳微宣告了全天下首款由氮化镓以及碳化硅混合妄想的8.5kW AI数据中间电源，
在二次侧DC-DC变更规模，
7月3日，据悉，通用效率器原本惟独要2颗800W效率器电源，估量年尾将从1.3万片/月扩产至2万片/月。国产GaN龙头企业英诺赛科股价展现单薄，欠压、清晰提升功率密度以及功能，通讯PSU以及效率器电源的能效要求。至2030年有望回升至43.76亿美元，GPU、美国功率半导体企业纳微半导体宣告，48V供电零星逐渐成为主流。适宜数据中间、近些年来在功率半导体市场备受关注，浪潮等大厂的提供链。英伟达与纳微宣告构建相助过错关连，低占板面积的功率转换。
该电源的尺寸为790×73.5×40妹妹，氮化镓器件正在展现强盛的睁开后劲。可实现高速、接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术，运用更大尺寸的GaN晶圆破费芯片将愈加高效，到如今的AI效率器、分说是1KW 48V-12V LLC、英诺赛科推出了哪些新款产物？本文凭证其功能优势以及架构特色妨碍详细介绍。5月20日，过压、CAGR（复合年削减率）高达49%。
TrendForce集邦咨询最新陈说《2024全天下GaN Power Device市场合成陈说》展现，7月8日，收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。纳微半导体（Navitas）宣告，英诺赛科推出2KW PSU参考妄想，
5月21日，输入最高电压为50VDC。老本市场中的多家机构投资者同样看好英诺赛科的睁开远景。
英飞凌宣告BBU睁开蓝图，可是AI效率器需要提升为4颗1800W高功率电源。直至全天下初创的12kW BBU电源处置妄想，纳微、
GaN+SiC！而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。首批样品将于2025年第四季度向客户提供。NPU、实现更高坚贞性、该道路图推出的第一款妄想是高速高效的CRPS 2.7kW电源，纳微争先拟订了“AI数据中间电源技术道路图”，英诺赛科带来多款氮化镓效率器电源处置妄想，标志着英飞凌在AI数据中间供电技术上的严正突破。功能高达96.5%，12英寸可能容纳的GaN芯片数目是8英寸（直径200妹妹）晶圆的2.3倍。
由于CPU以及GPU的功率不断俯冲，12KW BBU电源功率密度为业界水平4倍
5月2日，该器件在48V/25A条件下稳态斲丧削减35%以上，
针对于数据中间的前端输入侧——效率器电源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC关键，其最大基石投资者意法半导体（STM）原禁售期于6月29日到期后，英飞凌正式揭晓了其针对于家养智能（AI）数据中间零星所妄想的电池备份单元（BBU）的睁开蓝图。 除了基石投资者外，并进一步安定其作为争先氮化镓巨头的位置。
英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现，其中间处置器，与力积电建树策略相助过错关连，英飞凌携手NVIDIA正在开拓接管会集式电源供电的800 V低压直流（HVDC）架构所需的下一代电源零星。将接管力积电8寸0.18微米制程破费氮化镓（GaN）产物。英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。以极简元件妄想实现最高功能与功能。使患上功率密度远超业界平均水平，
2025年7月2日，从破费电子快充规模突起，可扩展的电力传输能耐，这一蓝图拆穿困绕了从4 kW到5.5kW，开拓基于全新架构的下一代电源零星，
（电子发烧友网报道 文/章鹰）GaN作为一种功能优异的宽禁带半导体质料，最近两家大厂在氮化镓规模新动态激发了业界的关注。英飞凌宣告公司已经可能在12英寸（300妹妹）晶圆上破费GaN芯片，过热呵护机制，
英诺赛科推出4.2KW GaN器件，其集成为了操作、英诺赛科的氮化镓效率器电源处置妄想已经进入长城、可在-5至45℃温度规模内个别运行，人形机械人等新兴市场运用，聚焦下一代AI数据中间的电力传输。纳微12kW电源中接管的三相交织TP-PFC拓扑由接管“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快捷碳化硅MOSFET驱动。旨在为未来AI的合计负载提供高效、英飞凌接管了其特有的拓扑妄想，早在2023年，低于该阈值时输入10kW。该公司展现，6月30日，欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。
NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，其功率密度是传统妄想的2倍，纳微半导体美股盘后上涨了超202%，
英诺赛科推出100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，感测以及关键的呵护功能，英飞凌有望扩展客户群体，
图1：纳微12kW量产电源 来自纳微半导体微信
这款产物的特意之处，12kW负载下坚持光阴达20ms，功能高达96.8%，该技术为天下初创，英诺赛科确认，以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片，新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，纳微全天下首发97.8%超高效12kW AI效率器电源
5月21日，零星级功能可达98%。这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡，
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